Усилитель от 4 до 420 ГГц: новый шаг в широкополосной микроэлектронике 

Fraunhofer IAF представил распределённый усилитель на основе InGaAs-on-Si для измерений, передачи данных и сенсорики.

Один усилитель для необычно широкой полосы

23 сентября 2026 года германский институт Fraunhofer IAF сообщил о разработке распределённого усилителя на собственной технологии InGaAs-on-Si HEMT. По опубликованным данным, чип обеспечивает усиление 11 ± 2 дБ в диапазоне от 4 до 420 ГГц. Разработку представили на European Microwave Week 2026 в Лондоне.

Такой результат важен не только своей верхней частотой. Разработчикам сверхширокополосных трактов обычно приходится разделять сигнал на несколько частотных участков, использовать разные каскады усиления и согласующие цепи. Увеличение непрерывной рабочей полосы открывает новые возможности для компактных систем измерения и связи.

Где востребованы частоты вплоть до 420 ГГц

В диапазонах миллиметровых и субтерагерцовых волн исследуют высокоскоростные межсоединения для центров обработки данных, спектроскопию, высокоточное зондирование и перспективные беспроводные системы. Широкополосный усилитель может выполнять роль элемента измерительного или приёмного тракта и упростить работу с сигналами разных диапазонов.

При этом опубликованная характеристика усиления не означает, что любые компоненты системы смогут работать до 420 ГГц. Антенны, переходы, упаковка, источники питания и средства измерения должны проектироваться и проверяться отдельно.

Почему на таких частотах особенно важны пассивные элементы

С ростом частоты небольшие геометрические детали становятся электрически значимыми. Паразитная индуктивность выводов, емкость контактных площадок, резонансы корпуса и неоднородность линии передачи способны испортить характеристики даже очень хорошего активного чипа.

Для цепей питания и смещения инженер должен учитывать реальную частотную характеристику RF Choke, байпасных конденсаторов и развязывающих элементов. Уместность конкретного конического индуктора или однослойного керамического конденсатора определяется измеренными параметрами и способом монтажа, а не только его номиналом.

Что это означает для производителей RF/СВЧ-компонентов

Развитие широкополосных усилителей повышает ценность достоверных S-параметров, информации о собственных резонансах и рекомендаций по монтажу. Для поставщиков высокочастотных пассивных компонентов это стимул развивать испытательные приспособления и моделирование с учетом паразитных элементов.

Технологический прогресс в активных схемах снова напоминает: характеристики всего тракта определяются не только полупроводником, но и качеством каждого перехода, соединения и элемента смещения.

Источник

Fraunhofer IAF, 23.09.2026 — Broadband Distributed Amplifier for Data Centers, Measurement Systems and Sensors. https://www.iaf.fraunhofer.de/en/media-library/press-releases/broadband-distributed-amplifier-for-data-centers-measurement-systems-sensors.html

91M Jiuyi Microwave   |   www.mhdmicrowave.com